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APT75GP120JDQ3

Produttori: Microsemi Corporation
Categoria di prodotto: Transistors - IGBTs - Modules
Scheda tecnica: APT75GP120JDQ3
Descrizione: IGBT 1200V 128A 543W SOT227
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Microsemi Corporation
Categoria di prodotto Transistors - IGBTs - Modules
Input Standard
Serie POWER MOS 7®
Tipo IGBT PT
Stato della parte Active
Potenza - Max 543W
Configurazione Single
Tipo di montaggio Chassis Mount
Tergamore NTC No
Pacchetto / Custodia ISOTOP
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto dispositivi fornitore ISOTOP®
Vce(on) (Max) : Vge, Ic 3.9V @ 15V, 75A
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 128A
Capacità di ingresso (Cies) - Vce 7.04nF @ 25V
Corrente - Taglio Collettore (Max) 1.25mA
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 1200V

In magazzino 363 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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