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APT45GR65B2DU30

Produttori: Microsemi Corporation
Categoria di prodotto: Transistors - IGBTs - Single
Scheda tecnica: APT45GR65B2DU30
Descrizione: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Microsemi Corporation
Categoria di prodotto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT NPT
Imballaggio Bulk
Tipo di ingresso Standard
Carica del cancello 203nC
Stato della parte Active
Potenza - Max 543W
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-247-3
Condizione di test 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
Td (attivato/disattivato) 15ns/100ns
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto dispositivi fornitore T-MAX™ [B2]
Vce(on) (Max) : Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A
Tempo di recupero inverso (trr) 80ns
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 118A
Corrente - Collettore pulsato (Icm) 224A
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 650V

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