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2N4449UB

Produttori:	Microsemi Corporation
Categoria di prodotto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Scheda tecnica:	2N4449UB
Descrizione:	NPN TRANSISTOR
Stato RoHS:	Compatibile con RoHS

Attributo	Valore attributo
Produttore	Microsemi Corporation
Categoria di prodotto	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie	Military, MIL-PRF-19500/317
Imballaggio	Bulk
Stato della parte	Active
Potenza - Max	360mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / Custodia	-
Tipo di transistor	NPN
Temperatura	-65°C ~ 200°C (TJ)
Frequenza - Transizione	-
Pacchetto dispositivi fornitore	UB
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic	450mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max)	400nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce	20 @ 100mA, 1V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max)	20V