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MT47H512M4EB-3:C
| Produttori: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Memory |
| Scheda tecnica: | MT47H512M4EB-3:C |
| Descrizione: | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Categoria di prodotto | Memory |
| Serie | - |
| Imballaggio | Tray |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Ora di accesso | 450ps |
| Dimensione della memoria | 2Gb (512M x 4) |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Stato della parte | Obsolete |
| Formato memoria | DRAM |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 60-TFBGA |
| Frequenza orologio | 333MHz |
| Numero parte base | MT47H512M4 |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | 60-FBGA (9x11.5) |
| Tempo ciclo di scrittura - Parola, Pagina | 15ns |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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