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LN100LA-G

Produttori: Microchip Technology
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Scheda tecnica: LN100LA-G
Descrizione: MOSFET 2N-CH 1200V
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Microchip Technology
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Cascoded)
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET Standard
Stato della parte Obsolete
Potenza - Max 350mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 6-VFLGA
Vgs (th) (Max) : ID 1.6V @ 10µA
Temperatura -25°C ~ 125°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 3000Ohm @ 2mA, 2.8V
Pacchetto dispositivi fornitore 6-LFGA (3x3)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs -
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 1200V (1.2kV)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 50pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) -

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