Produttori: | Infineon Technologies |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Scheda tecnica: | IRFU3410 |
Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Tube |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Caratteristica FET | - |
Stato della parte | Obsolete |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs (th) (Max) : ID | 4V @ 250µA |
Temperatura | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 39mOhm @ 18A, 10V |
Dissipazione di potenza (Max) | 3W (Ta), 110W (Tc) |
Pacchetto dispositivi fornitore | IPAK (TO-251) |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 56nC @ 10V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 100V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 1690pF @ 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | 31A (Tc) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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