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IRFR9N20DTRLPBF

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IRFR9N20DTRLPBF
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) : ID 5.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 380mOhm @ 5.6A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 86W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore D-Pak
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 27nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 200V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 560pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 9.4A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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