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IRFH5110TRPBF
| Produttori: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | IRFH5110TRPBF |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Active |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Vgs (th) (Max) : ID | 4V @ 100µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 12.4mOhm @ 37A, 10V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | 8-PQFN (5x6) |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 72nC @ 10V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 100V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 3152pF @ 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 11A (Ta), 63A (Tc) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.57 | $0.56 | $0.55 |
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