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IRF5210STRRPBF

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IRF5210STRRPBF
Descrizione: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
Tipo FET P-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Not For New Designs
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 60mOhm @ 38A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore D2PAK
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 230nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 100V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 2780pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 38A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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