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IPT012N08N5ATMA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IPT012N08N5ATMA1
Descrizione: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 8-PowerSFN
Vgs (th) (Max) : ID 3.8V @ 280µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 1.2mOhm @ 150A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 375W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PG-HSOF-8-1
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 223nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 80V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 17000pF @ 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) 300A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

In magazzino 4626 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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