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IPP65R110CFDAAKSA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IPP65R110CFDAAKSA1
Descrizione: MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-220-3
Vgs (th) (Max) : ID 4.5V @ 1.3mA
Temperatura -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 277.8W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PG-TO220-3
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 118nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 650V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 3240pF @ 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) 31.2A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

In magazzino 360 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.62 $6.49 $6.36

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