Produttori: | Infineon Technologies |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Scheda tecnica: | IPP50R199CPHKSA1 |
Descrizione: | MOSFET N-CH 550V TO-220 |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Tube |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Caratteristica FET | - |
Stato della parte | Not For New Designs |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
Vgs (th) (Max) : ID | 3.5V @ 660µA |
Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
Dissipazione di potenza (Max) | 139W (Tc) |
Pacchetto dispositivi fornitore | PG-TO220-3-1 |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 45nC @ 10V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 550V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 1800pF @ 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | 17A (Tc) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.83 | $1.79 | $1.76 |