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IPI600N25N3GAKSA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IPI600N25N3GAKSA1
Descrizione: MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 90µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 60mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 136W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PG-TO262-3
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 29nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 250V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 2350pF @ 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) 25A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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