Produttori: | Infineon Technologies |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Scheda tecnica: | IPI600N25N3GAKSA1 |
Descrizione: | MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3 |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Tube |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Caratteristica FET | - |
Stato della parte | Active |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Vgs (th) (Max) : ID | 4V @ 90µA |
Temperatura | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V |
Dissipazione di potenza (Max) | 136W (Tc) |
Pacchetto dispositivi fornitore | PG-TO262-3 |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 29nC @ 10V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 250V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 2350pF @ 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | 25A (Tc) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.59 | $1.56 | $1.53 |