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IPD90N06S4L06ATMA2

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IPD90N06S4L06ATMA2
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) : ID 2.2V @ 40µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 6.3mOhm @ 90A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 79W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PG-TO252-3-11
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 75nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 60V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 5680pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 90A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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