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IPD65R600C6BTMA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IPD65R600C6BTMA1
Descrizione: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Discontinued at Digi-Key
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) : ID 3.5V @ 210µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 600mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 63W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PG-TO252-3
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 23nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 650V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 440pF @ 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) 7.3A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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