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IPB80P04P4L06ATMA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IPB80P04P4L06ATMA1
Descrizione: MOSFET P-CH TO263-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET P-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) : ID 2.2V @ 150µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 6.4mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 88W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PG-TO263-3-2
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 104nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 40V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 6580pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 80A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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