Produttori: | Infineon Technologies |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Scheda tecnica: | IPB80N04S303ATMA1 |
Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Digi-Reel® |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Caratteristica FET | - |
Stato della parte | Discontinued at Digi-Key |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs (th) (Max) : ID | 4V @ 120µA |
Temperatura | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 3.2mOhm @ 80A, 10V |
Dissipazione di potenza (Max) | 188W (Tc) |
Pacchetto dispositivi fornitore | PG-TO263-3-2 |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 110nC @ 10V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 40V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 7300pF @ 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | 80A (Tc) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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