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FF200R12KT4HOSA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - IGBTs - Modules
Scheda tecnica: FF200R12KT4HOSA1
Descrizione: IGBT MODULE 1200V 200A
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - IGBTs - Modules
Input Standard
Serie C
Tipo IGBT Trench Field Stop
Stato della parte Active
Potenza - Max 1100W
Configurazione Half Bridge
Tipo di montaggio Chassis Mount
Tergamore NTC No
Pacchetto / Custodia Module
Temperatura -40°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto dispositivi fornitore Module
Vce(on) (Max) : Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 320A
Capacità di ingresso (Cies) - Vce 14nF @ 25V
Corrente - Taglio Collettore (Max) 5mA
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 1200V

In magazzino 16 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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