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BSZ180P03NS3GATMA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: BSZ180P03NS3GATMA1
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET P-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) : ID 3.1V @ 48µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PG-TSDSON-8
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 30nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 2220pF @ 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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