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BSZ100N06LS3GATMA1
| Produttori: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | BSZ100N06LS3GATMA1 |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Imballaggio | Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Active |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerVDFN |
| Vgs (th) (Max) : ID | 2.2V @ 23µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | PG-TSDSON-8 |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 45nC @ 10V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 60V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 3500pF @ 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 11A (Ta), 20A (Tc) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
In magazzino 42405 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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