Produttori: | Infineon Technologies |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Scheda tecnica: | BSS169H6327XTSA1 |
Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SIPMOS® |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Digi-Reel® |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Stato della parte | Active |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs (th) (Max) : ID | 1.8V @ 50µA |
Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
Dissipazione di potenza (Max) | 360mW (Ta) |
Pacchetto dispositivi fornitore | SOT-23-3 |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 2.8nC @ 7V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 100V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 68pF @ 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | 170mA (Ta) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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