Produttori: | IXYS |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Scheda tecnica: | IXTP1R6N100D2 |
Descrizione: | MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | IXYS |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Tube |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Caratteristica FET | Depletion Mode |
Stato della parte | Active |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
Vgs (th) (Max) : ID | - |
Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
Dissipazione di potenza (Max) | 100W (Tc) |
Pacchetto dispositivi fornitore | TO-220AB |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 27nC @ 5V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 1000V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 645pF @ 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | 1.6A (Tc) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.85 | $1.81 | $1.78 |