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IXTH3N100P

Produttori: IXYS
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IXTH3N100P
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore IXYS
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PolarVHV™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-247-3
Vgs (th) (Max) : ID 4.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 125W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-247 (IXTH)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 39nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 1000V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 1100pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 3A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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