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IXTH1N200P3HV

Produttori: IXYS
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IXTH1N200P3HV
Descrizione: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore IXYS
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-247-3 Variant
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 125W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-247HV
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 23.5nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 2000V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 646pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 1A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

In magazzino 30 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.02 $5.90 $5.78

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