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IXTF200N10T

Produttori: IXYS
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IXTF200N10T
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore IXYS
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMV™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia i4-Pac™-5
Vgs (th) (Max) : ID 4.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 156W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore ISOPLUS i4-PAC™
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 152nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 100V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 9400pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 90A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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