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IXFT6N100Q

Produttori:	IXYS
Categoria di prodotto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica:	IXFT6N100Q
Descrizione:	MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Stato RoHS:	Compatibile con RoHS

Attributo	Valore attributo
Produttore	IXYS
Categoria di prodotto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HiPerFET™
Tipo FET	N-Channel
Imballaggio	Tube
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET	-
Stato della parte	Active
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / Custodia	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs (th) (Max) : ID	4.5V @ 2.5mA
Temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs	1.9Ohm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (Max)	180W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore	TO-268
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs	48nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss)	1000V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max)	2200pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id)	6A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V