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IXFH7N100P

Produttori: IXYS
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IXFH7N100P
Descrizione: MOSFET N-CH
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore IXYS
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™, Polar™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-247-3
Vgs (th) (Max) : ID 6V @ 1mA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 300W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-247
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 47nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 1000V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 2590pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 7A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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