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GSID200A120S3B1

Produttori: Global Power Technologies Group
Categoria di prodotto: Transistors - IGBTs - Modules
Scheda tecnica: GSID200A120S3B1
Descrizione: SILICON IGBT MODULES
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Global Power Technologies Group
Categoria di prodotto Transistors - IGBTs - Modules
Input Standard
Serie Amp+™
Tipo IGBT -
Stato della parte Active
Potenza - Max 1595W
Configurazione 2 Independent
Tipo di montaggio Chassis Mount
Tergamore NTC No
Pacchetto / Custodia D-3 Module
Temperatura -40°C ~ 150°C
Pacchetto dispositivi fornitore D3
Vce(on) (Max) : Vge, Ic 2V @ 15V, 200A
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 400A
Capacità di ingresso (Cies) - Vce 20nF @ 25V
Corrente - Taglio Collettore (Max) 1mA
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 1200V

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Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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