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GP1M003A080FH

Produttori: Global Power Technologies Group
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: GP1M003A080FH
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Global Power Technologies Group
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Obsolete
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 32W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-220F
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 19nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 800V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 696pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 3A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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