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MBR12020CT

Produttori: GeneSiC Semiconductor
Categoria di prodotto: Diodes - Rectifiers - Arrays
Scheda tecnica: MBR12020CT
Descrizione: DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore GeneSiC Semiconductor
Categoria di prodotto Diodes - Rectifiers - Arrays
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Imballaggio Bulk
Tipo di diodo Schottky
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / Custodia Twin Tower
Configurazione Dioda 1 Pair Common Cathode
Pacchetto dispositivi fornitore Twin Tower
Corrente - Perdita Inversa - Vr 3mA @ 20V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 20V
Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tensione - Avanti (Vf) (Max) 650mV @ 120A
Corrente - Media rettificata (Io) (per diode) 120A (DC)

In magazzino 0 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$65.66 $64.35 $63.06

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