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GA05JT12-247
| Produttori: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | GA05JT12-247 |
| Descrizione: | TRANS SJT 1200V 5A |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Imballaggio | Tube |
| Vgs (Max) | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Vgs (th) (Max) : ID | - |
| Temperatura | 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 280mOhm @ 5A |
| Dissipazione di potenza (Max) | 106W (Tc) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | TO-247AB |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 5A (Tc) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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