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EPC2012C

Produttori:	EPC
Categoria di prodotto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica:	EPC2012C
Descrizione:	GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Stato RoHS:	Compatibile con RoHS

Attributo	Valore attributo
Produttore	EPC
Categoria di prodotto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	eGaN®
Tipo FET	N-Channel
Imballaggio	Digi-Reel®
Vgs (Max)	+6V, -4V
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Caratteristica FET	-
Stato della parte	Active
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / Custodia	Die
Vgs (th) (Max) : ID	2.5V @ 1mA
Temperatura	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Dissipazione di potenza (Max)	-
Pacchetto dispositivi fornitore	Die Outline (4-Solder Bar)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs	1.3nC @ 5V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss)	200V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max)	140pF @ 100V
Corrente - Scarico continuo (Id)	5A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V