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DMN3010LFG-13

Produttori: Diodes Incorporated
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: DMN3010LFG-13
Descrizione: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Diodes Incorporated
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) : ID 2.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 8.5mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 900mW (Ta)
Pacchetto dispositivi fornitore PowerDI3333-8
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 37nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 2075pF @ 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) 11A (Ta), 30A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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