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DMG1016V-7

Produttori: Diodes Incorporated
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Scheda tecnica: DMG1016V-7
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Diodes Incorporated
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET N and P-Channel
Imballaggio Cut Tape (CT)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Stato della parte Active
Potenza - Max 530mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666
Numero parte base DMG1016V
Vgs (th) (Max) : ID 1V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Pacchetto dispositivi fornitore SOT-563
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 0.74nC @ 4.5V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 60.67pF @ 16V
Corrente - Scarico continuo (Id) 870mA, 640mA

In magazzino 133437 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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