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1N8030-GA
| Produttori: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Scheda tecnica: | 1N8030-GA |
| Descrizione: | DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Categoria di prodotto | Diodes - Rectifiers - Single |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Imballaggio | Tube |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-257-3 |
| Numero parte base | 1N8030 |
| Capacità: Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Pacchetto dispositivi fornitore | TO-257 |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita Inversa - Vr | 5µA @ 650V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media rettificata (Io) | 750mA |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) | 1.39V @ 750mA |
In magazzino 9 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $181.92 | $178.28 | $174.72 |
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